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[发明专利]铁氧体薄膜形成用组合物和铁氧体薄膜及其形成方法-CN201310088140.4无效
发明人：土井利浩;樱井英章;中村贤蔵;五十岚和则;曽山信幸 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种铁氧体薄膜形成用组合物和利用该组合物的铁氧体薄膜的形成方法及以该方法形成的铁氧体薄膜，所述铁氧体薄膜为用于通过溶胶-凝胶法形成铁氧体薄膜的组合物，其能够形成较薄且均匀的膜厚的铁氧体薄膜该铁氧体薄膜形成用组合物，其为用于通过溶胶-凝胶法形成NiZn铁氧体、CuZn铁氧体、NiCuZn铁氧体薄膜的组合物，上述组合物通过将金属原料溶解于包含乙腈的溶剂而成，将上述组合物设为100质量%时的乙腈的比例为
铁氧体薄膜形成组合及其方法

[发明专利]一种铁氧体薄膜的制备方法及具有该铁氧体薄膜的电极-CN201610332624.2在审
发明人：牛辉;陈智军 -专利权人：中山因塞施特电子科技有限公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁氧体薄膜的制备方法及具有该铁氧体薄膜的电极，包括以下步骤步骤(1)制备铁氧体粉料；步骤(2)把步骤(1)的铁氧体粉料高速喷射在基板上，使铁氧体粉料粘附在基板上形成致密的铁氧体层；步骤(3)对经过步骤(2)处理的铁氧体层进行热处理得到铁氧体薄膜。本发明能提高铁氧体的密度，制作工艺简单，成本低，产品质量高。
一种铁氧体薄膜制备方法具有电极

[发明专利]一种Ka波段叠层式薄膜铁氧体微带环行器-CN201710519437.X有效
发明人：郑辉;刘佩森;郑鹏;吴建锋;郑梁 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01P1/387 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ka波段叠层式铁氧体薄膜结构微带环行器，包括介质基片、以镀膜工艺在所述介质基片上依次形成第一铁氧体薄膜层、介质薄膜层和第二铁氧体薄膜层、以及设置所述第二铁氧体薄膜层上的微带线，所述微带线作为环行器的导体电路与外部电路相连接；所述介质薄膜层采用薄膜附着性的材料且其相对介电常数低于所述第一铁氧体薄膜层和第二铁氧体薄膜层的相对介电常数。本发明通过改变铁氧体薄膜的结构形式，达到了既能改善铁氧体单层薄膜易断裂的问题，降低了镀膜工艺的难度，又能提升环行器环行效果的目的。
一种 ka 波段叠层式薄膜铁氧体微带环行器

[发明专利]铁氧体薄膜形成用组合物及铁氧体薄膜的形成方法-CN201410055661.4无效
发明人：土井利浩;樱井英章;曽山信幸;中村贤蔵;五十岚和则 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01F10/20 文献下载
摘要：本发明提供一种铁氧体薄膜形成用组合物及铁氧体薄膜的形成方法。该铁氧体薄膜形成用组合物为用于通过溶胶-凝胶法形成NiZn铁氧体、CuZn铁氧体、NiCuZn铁氧体薄膜的组合物，上述组合物含有金属原料及含N-甲基吡咯烷酮的溶剂，在将上述组合物设为100质量%时，N-
铁氧体薄膜形成组合方法

[发明专利]一种Ka波段双面铁氧体薄膜微带线环行器-CN201810814873.4有效
发明人：郑辉;张飞;郑鹏;郑梁 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01P1/387 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ka波段双面铁氧体薄膜微带线环行器，属于微波铁氧体器件领域。该环行器包括非磁性介质基片、基于镀膜工艺在所述介质基片的两面生长的铁氧体薄膜层、以及在其中一面的铁氧体薄膜层上形成的阻抗匹配微带线，另外一面形成的金属接地板。本发明在单面铁氧体薄膜环行器的基础上，改变环行器的结构形式，即在介质基片上下两面镀上铁氧体薄膜，这样不仅缓解了环行器对单层铁氧体厚膜的需求与单层铁氧体厚膜制作难度大之间的矛盾，同时大大提升了环行器的性能实验结果表明，适当厚度的双层铁氧体薄膜结构的环行器在经过阻抗匹配优化后，其带宽、插入损耗、隔离度、回波损耗等参数相比传统结构的单层铁氧体薄膜环行器都有明显的提升。
一种 ka 波段双面铁氧体薄膜微带环行器

[实用新型]一种NFC天线模组-CN202022753339.2有效
发明人：谢清林 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种NFC天线模组，包括未冲切的铁氧体、聚酰亚胺薄膜和银浆线圈；所述聚酰亚胺薄膜覆在所述未冲切的铁氧体的一侧；所述银浆线圈印刷于所述聚酰亚胺薄膜远离所述未冲切的铁氧体的一侧上；直接在铁氧体上印刷银浆而形成银浆线圈，避免了现有技术中单独加工线圈和铁氧体，再人工组装贴合的繁琐操作，成本较低且良率高，而鉴于印刷过程中温度高，适应性地在铁氧体银浆线圈之间增设聚酰亚胺薄膜，令银浆线圈印刷于聚酰亚胺薄膜，由于聚酰亚胺薄膜耐高温，印制线圈时不会对铁氧体造成影响，同时是在未冲切的铁氧体上进行银浆线圈的印刷，保证铁氧体在印制过程中不受影响，进一步保证所生成的NFC天线模组的良率。
一种 nfc 天线模组

[发明专利]柔性六角铁氧体薄膜及其制备方法-CN201810692387.X有效
发明人：汤如俊;朱齐山;苏晓东 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性六角铁氧体薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：S1、采用六角铁氧体粉末制备六角铁氧体靶材；S2、提供单晶基片，所述单晶基片作为薄膜制备的基底；S3、使用真空镀膜设备在单晶基片上外延生长六角铁氧体薄膜；S4、采用机械剥离法将单晶基片剥离，得到柔性六角铁氧体薄膜。本发明采用真空镀膜的方法在耐高温的单晶基底上生长高度择优取向的六角铁氧体薄膜，再通过机械法剥离耐高温单晶基片的方法成功制备柔性薄膜；柔性六角铁氧体薄膜具有可弯曲性，弯曲后磁性能基本没有改变，因此对于柔性器件具有潜在价值
柔性六角铁氧体薄膜及其制备方法

[发明专利]无支撑铁氧体磁性薄膜的制备方法及其应用-CN202011060968.5有效
发明人：金立川;张磊;武剑;张怀武;钟智勇;唐晓莉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：一种无支撑铁氧体磁性薄膜的制备方法及其应用，属于新材料技术领域。采用铜箔或镍箔作为牺牲层，通过生长致密耐高温氧化保护层，防止铁氧体薄膜生长过程中的铜箔或镍箔的高温氧化，在防氧化晶体择优取向的铜箔或镍箔上生长铁氧体磁性薄膜，最后通过化学法将铜箔或镍箔牺牲层去掉，获得了无支撑铁氧体磁性薄膜本发明方法可以生长超大面积的高品质铁氧体薄膜，薄膜厚度可以实现纳米级到微米级变化，并且无需昂贵的提拉法生长单晶衬底，具有较高的经济效能；制得的无支撑铁氧体磁性薄膜可以转移至任意柔性衬底或半导体衬底上，得到铁氧体微波器件
支撑铁氧体磁性薄膜制备方法及其应用

[发明专利]一种尖晶石型铁氧体薄膜及其制备方法-CN201810392411.8有效
发明人：杨洋;余快;汪国平;丁军;肖文 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种尖晶石型铁氧体薄膜的制备方法，包括：将原料和衬底混合后进行升温处理再进行冷却，得到尖晶石型铁氧体薄膜；所述原料包括金属源、表面活性剂和溶剂。与现有技术相比，本发明采用化学方法制备得到尖晶石型铁氧体薄膜，本发明提供的方法制备得到的尖晶石型铁氧体薄膜的晶体结构质量高、无杂相，可制备得到厚度在几纳米至几百纳米的尖晶石型铁氧体薄膜，制备得到的尖晶石型铁氧体薄膜具有优异的磁性能本发明还提供了一种由上述技术方案所述的方法制备得到的尖晶石型铁氧体薄膜。
一种尖晶石铁氧体薄膜及其制备方法

[发明专利]铁氧体材料,由其形成的铁氧体薄膜,和具有铁氧体薄膜的射频识别标签-CN200710085587.0有效
发明人：近藤幸一;小野裕司;吉田荣吉 -专利权人： NEC东金株式会社
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01F1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种由氧化物金属组合物组成的铁氧体材料，所述金属组合物具有分子式为Fe_aNi_bZn_cCo_d，其中：a+由铁氧体材料制成的铁氧体薄膜。优选地，通过铁氧体电镀法形成具有厚度为30μm或以下和长宽比为30或更大的铁氧体薄膜。将所述铁氧体薄膜布置或提供在射频识别标签的天线导线附近。可以将所述铁氧体薄膜与所述天线导线直接接触。
铁氧体材料形成薄膜具有射频识别标签

[发明专利]一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法-CN200710050348.1无效
发明人：钟智勇;张怀武;荆玉兰;刘爽;唐晓莉;苏桦;贾利军;金沈贤 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法，属于信息材料技术领域。本发明在基片上制备尖晶石结构铁氧体薄膜之前，先在基片上制备一层Fe₃O₄缓冲层薄膜，在对尖晶石结构铁氧体薄膜进行退火晶化处理时，利用Fe₃O₄缓冲层发生从Fe₃O₄到Fe₂O₃活性相变所释放的热量促进尖晶石结构铁氧体薄膜的结晶，从而降低尖晶石结构铁氧体薄膜的退火晶化处理温度，使之与现代微电子工艺相兼容；同时，Fe₃O₄缓冲层属尖晶石结构氧化物薄膜，与尖晶石结构铁氧体薄膜晶格匹配，从而使得Fe₃O₄缓冲层的引入不影响尖晶石结构铁氧体薄膜良好的电磁特性。
一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度制备方法

[发明专利]无线温度传感器和无线温度传感器的控制方法-CN202310508181.8在审
发明人：白利军;胡婧;李智龙 -专利权人：内蒙古电力（集团）有限责任公司呼和浩特供电分公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01K7/38 文献下载
摘要：本申请提供了一种无线温度传感器和无线温度传感器的控制方法，该无线温度传感器包括壳体，具有容纳腔；铁氧体薄膜，铁氧体薄膜设置在容纳腔内，其中，铁氧体薄膜的磁导率随着待测对象的温度的变化而变化；设置有谐振回路的电路板，设置在容纳腔内且位于铁氧体薄膜的一侧，铁氧体薄膜与电路板之间的距离在预设范围内。本申请采用铁氧体薄膜本身具有的磁导率随温度变化的特性，根据铁氧体薄膜的磁导率变化影响谐振回路各参数的变化，通过采集谐振回路各参数的变化可以推算出导体连接管的温度，在准确测量电缆接头内部温度的同时实现电磁隔离
无线温度传感器控制方法

[发明专利]一种由阴离子型层状化合物制备铁氧体薄膜的方法-CN200610011513.8无效
发明人：杨兰;张英超;段雪;尹烈 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2006-03-17 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种由阴离子型层状化合物制备铁氧体薄膜的方法，属于铁氧体薄膜的制备技术领域。以M^IIFe^IIILDHs悬浆液为前驱体，采用涂敷技术在基片上制备得到了M^IIFe^IIILDHs复合薄膜，然后经干燥固化，最后高温焙烧得到铁氧体薄膜。本发明的优点在于：采用价格便宜、合成工艺简单、构造组分可调控的LDHs为起始物质，通过焙烧实现LDHs向铁氧体薄膜材料的转化，获得颗粒均匀分散、致密、厚度在微米级、附着力好的系列铁氧体薄膜材料。
一种阴离子层状化合物制备铁氧体薄膜方法

[发明专利]一种制备Ni-Zn铁氧体薄膜的方法-CN201110112982.X无效
发明人：薛德胜;郭党委;蒋长军 -专利权人：兰州大学
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种制备铁氧体薄膜的方法，特别是一种可得到具有更佳的软磁和微波性能的尖晶石型Ni-Zn铁氧体薄膜的方法。本发明的方法是首先在基底材料上沉积一层反铁磁材料Fe50Mn50，然后再在Fe50Mn50Fe50层上沉积Ni-Zn铁氧体薄膜层。本发明的方法还可制备出多层Ni-Zn铁氧体薄膜。采用本发明的方法可以提高所制备的Ni-Zn铁氧体薄膜软磁性能和微波性能。
一种制备 ni zn 铁氧体薄膜方法

[发明专利]一种c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法-CN200910059863.5无效
发明人：彭斌;唐浩;张文旭;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2009-07-01 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01F41/24 文献下载
摘要：一种c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法，属于材料技术领域，涉及钡铁氧体薄膜，尤其是c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法。硝酸钡溶于水和乙二醇的混合溶剂中，得到混合溶液A；然后取一定体积L的混合溶液A，并按0.05~0.20g/ml的比例加入PVP，溶解得到溶胶B；再将步骤2溶胶B旋涂于(001)晶向的蓝宝石基片上，形成薄膜C；再薄膜C进行干燥和热处理，即得到c轴取向钡铁氧体薄膜。本发明具有工艺流程简单、成本低，对生产设备要求不高的特点；并且可实现薄膜的成分的方便调节和膜层厚度的控制。本发明所制备的c轴取向钡铁氧体薄膜具有结构和性能上的各向异性，可用于磁记录介质材料、微波铁氧体器件中。
一种取向铁氧体薄膜制备方法

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